林嘉洤 特聘教授
Jia-Chuan Lin, Ph.D., Distinguished Professor
地址(Address): 237303 新北市三峽區大學路151號 (No. 151, University Rd., Sanxia Dist., New Taipei City 237303, Taiwan, R.O.C.)
聯絡電話(Phone): +886-2-86741111 Ext. 68836
國立臺北大學 主任秘書 (Chief Secretary, NTPU)
聖約翰科技大學 副校長 (Vice-President, St. John's University)
聖約翰科技大學 教務長 (Dean of Academic Affairs, St. John's University)
國立成功大學 電機 博士/碩士/學士 (Ph.D, EE, National Cheng-Kung University)
代表性著作 (Publications)
SCI期刊論文, 共30篇 (SCI papers)
-
***此僅列代表性論文19篇, 此19篇Impact Factor總和達50以上***
-
J. C. Lin,Y. C. Liu, S. H. Lu, H. N. Yen, and K. Settu “Enhancing the Specific Capacitance of a Porous Silicon-Based Capacitor by Embedding Graphene Combined with Three-Dimensional Electrochemical Etching,” Electrochemistry Communications, Vol. 154, p. 107555, 2023. 【SCI, IF=4.2】
-
Y. F. Kuo, Y. Y. Kuo, and J. C. Lin, “5 GHz Phase-Locked Loop with a Phase-Adjusting Function,” IEEE Microwave and Wireless Technology Letters, Vol. 33, No. 5, pp. 583-586, 2023. 【SCI, IF=3.4】
-
J. C. Lin,Y. H. Lai, S. H. Lu, C. H. Wu, and K. Settu “Improvement of a capacitive UV-sensor by porous silicon powders embedded in epoxy on porous silicon film,” Optical Materials Express, Vol. 12, No. 8, pp. 3143-3151, 2022. 【SCI, IF=3.064】
-
S. K. Mohanty, P. K. Reddy, O. K. Prasad, C. H. Wu, K. M. Chang, and J. C. Lin, “Interface Engineering for 3-Bit per Cell Multilevel Resistive Switching in AlN Based Memristor,” IEEE Electron Device Letters, Vol. 42, p. 1770, 2021. 【SCI, IF=4.221】
-
J. C. Lin,and Y. C. Huang “Three-Dimensional Electrochemical Etching by Grid Ditching for Multi-Wavelength Visible-Light Emission on Porous Silicon,” Optics Express, Vol. 28, No. 22, pp. 32549-32555, 2020. 【SCI, IF=3.669】
-
J. C. Lin* and T. L. Jiang, “Laser Trench Method for Mask-Free Direct Patterning of Porous Silicon Films,”
IEEE Transactions on Electron Device Letters, Vol. 41, No. 7, pp. 1074-1077, 2020.
【SCI, IF=4.221】 -
J. C. Lin*, L. F. Wan, K. W. Liu, K. C. Lo, M. L. Yeh, and S. J. Wang,
“Porous Silicon NDR-Based High Power RF Oscillator Diode,”
IEEE Transactions on Electron Device Letters, Vol. 38, No. 6, pp. 701-704, 2017.
【SCI, IF=4.221】 -
J. C. Lin*, H. T. Hou, H. K. Wang, K. C. Lo, and M. K. Hsu,
“The Edge Effect in Electrochemical Etching on Porous Silicon and Its Direct Evidence on Photoluminescence Patterns,”
Optical Materials Express, Vol. 7, No. 3, pp. 880-887, 2017. 【SCI, IF=3.064】 -
J. C. Lin*, W. C. Tsai, and P. W. Lee,
“The Enhancement of Photoluminescence of N-Type Porous Silicon by Hall-Effect Assistance During Electrochemical Anodization,”
Electrochemistry Communications, Vol. 9, pp. 449–453, 2007. 【SCI, IF=4.2】 -
J. C. Lin*, W. C. Tsai, and W. L. Chen,
“Light-Emission and Negative-Differential-Conductance of N-Type Nanoporous Silicon with Buried P-Layer Assistance,”
Applied Physics Letters, Vol. 90, pp. 1-4, 2007. 【SCI, IF=3.6】 -
J. C. Lin*, H. T. Hou, and W. C. Tsai, “A Mask-Free Method of Patterned Porous Silicon Formation by a Localized Electrical Field,”
Microelectronic Engineering, Vol. 84, pp. 336-339, 2007. 【SCI, IF=1.654】 -
J. C. Lin*, Y. C. Chen, W. C. Tsai, and P. Y. Yang, “Structure Design Criteria of Dual-Channel High Mobility Electron Transistors,”
Solid-State Electronics, Vol. 51, pp. 42-46, 2007. 【SCI, IF=1.916】 -
J. C. Lin*, P. Y. Yang, and W. C. Tsai, “Simulation and Analysis of Metamorphic High Electron Mobility Transistors,”
Microelectronics Journal, Vol. 38, pp. 251-254, 2007. 【SCI, IF=1.992】 -
J. C. Lin*, Y. C. Chen, and W. C. Tsai, “The Study of Delta-Doped InGaP/InGaAs/GaAs Pseudomorphic High Electron Mobility Transistor”
Microelectronics Journal, Vol. 38, pp. 310-315, 2007. 【SCI, IF=1.992】 -
J. C. Lin*, W. C. Tsai, and W. L. Chen, “Disperse Pipe Trench on Silicon by Electrochemical Etching with Pulsed Voltage or Pulsed Illumination,”
Electronics Letters, Vol. 43, No. 4, pp. 247-248, Feb. 2007. 【SCI, IF=1.316】 -
J. C. Lin*, P. W. Lee, and W. C. Tsai, “Manufacturing Method for N-type Porous Silicon Based on Hall Effect without Illumination,”
Applied Physics Letters, Vol. 89, No. 12, pp. 121119-121121, 2006. 【SCI, IF=3.597】 -
J. C. Lin*, W. L. Chen, and W. C. Tsai, “Photoluminescence from N-type Porous Silicon Layer Enhanced by a Forward-Biased NP-Junction,”
Optics Express, Vol. 14, No. 21, pp. 9764-9769, 2006. 【SCI, IF=3.669】 -
J. C. Lin*, W. C. Tsai and W. S. Lee,
“The Improved Electrical Contact Between a Metal and Porous Silicon by Deposition Using a Supercritical Fluid,”
Nanotechnology, Vol. 17, pp. 2968-2971, 2006. 【SCI, IF=3.551】 -
J. C. Lin, S. J. Wang, W. R. Liou, Y. C. Luo and C. Y. Cheng,
"Numerical Simulation and Experimental Realization of delta-Doped Single Barrier Resonant Tunneling Diodes,”
Japanese Journal of Applied Physics, Vol. 35, Part 1, No. 2A, pp. 568-573, 1996. 【SCI, IF=1.491】
專書專章 (Book Chapters)
-
J. C. Lin* and W. C. Tsai, “Novel Manufacturing and Processing Technologies of Nanoporous Silicon,” in Nanotechnology Research Developments edited by R. Jimenez-Contreras, Nova Science Publishers, Inc. (2007). [ISBN 978-1-60021-899-6]
-
J. C. Lin* and W. C. Tsai, “Light Emissions from Nanoporous Silicon Surfaces by a Novel Chemical Anodization Processes,” in Chemical Reactions on Surfaces edited by James I. Duncan and Artur B. Klein, Nova Science Publishers, Inc. (2008). [ISBN 978-1-60456-898-1]
研究計畫 (Projects)
主持研究及產學計畫 (國科會/科技部共23件，此僅列2007年之後)
石墨烯導電阻抗特性之研究及其應用於電鍍銅箔在傳導散熱效應之強化（兩年期）
多波段光吸收之鈣鈦礦/石墨烯/多孔矽/單晶矽-複合型太陽能電池陣列之研發及其積體整合於自供電Si-LED模組」
EV車端預防性AI品質監測嵌入式邊緣運算建立電動車的電池元件特性分析、壽命模擬與預測技術（兩年期）
電池特徵暨危害預測之預訓練模型開發計畫（兩年期）
多孔矽/石墨烯－奈米複合微結構之合成技術及其於發光/感測元件之研製，並應用於穿戴式熱中暑LED警示之濕/溫度感測模組
多孔矽-紫外線偵測器/二氧化碳感測器及自供電之雙整合職災檢測電路模組之研製，及其於戶外/室內防護之穿戴應用
多孔矽-純弦波產生器之二極體結構研發, 及其於微縮至矽基-直流轉交流逆變電路之關鍵技術開發, 並衍生至太陽能直流能源微型電網之應用
探針瑕疵檢測之萬花筒成像研發
車聯網、資料雲與汽車共享智慧型系統計畫
高速雷射照明可見光通訊研究
以多孔矽材料作為紫外線螢光粉末之研究
具製程變異校正功能之OLED複合式大面板亮度均一調變之晶片電路設計及其模組之實現
依環境亮度調節之智慧節能/智慧裝飾之多通道OLED調光驅動電路及模組設計
矽基材多孔矽發光元件之製程開發及其壽命改質之封裝技術研究
新式橫向膜多孔矽異質接面製程及其生化感測晶片應用之感測薄膜電晶體之技術研究
可撓式發光顯示器模組與薄膜太陽能儲能系統整合技術研發及其創意產業
陽極氧化微流道與陰極電鍍微導線之整合技術及其應用於多孔矽微感測實驗室晶片之開發
以奈米級多孔矽薄膜研製複合式光敏與氣敏微型感測陣列元件及其在色光與電性輸出響應之研究
半導體薄膜高精密表面檢測之數位影像多點網路資訊共享平台應用計畫
以新異電蝕製程進行奈米級多孔矽薄膜於太陽能吸收/轉換元件與可見光放射元件之應用及其於能源與照明之光電轉換效率改善
矽基材新異電蝕製程之開發及其光電特性之應用研究
獎項 (Awards)
1. 教學與研究榮譽
-
2023年, 全英語教學優良教師(國立臺北大學)
2023、2022、2021、2018年, 學術研究獎(國立臺北大學)
2023、2020、2018年, 產學研究優等獎/特優獎(國立臺北大學)
2018年, 高教深耕計畫績優教師(國立臺北大學)
2016年, 優良導師獎(國立臺北大學)
2014年, 科技部大專院校獎勵特殊優秀人才補助、教學績優教師(國立臺北大學)
2013年, 推動教育部教學卓越計畫績優教師、績優導師(國立臺北大學)
2. 國際性名人錄榮譽
- 2008, 2009年，Who's Who in the World（世界名人錄）
- 2008年，Leading Educators of the World名人錄
- 2009年，International Profiles of Accomplished Leaders名人錄
- 2009年，Dictionary of International Biography Thirty Fifth Edition (英國)名人錄
- 2010 年，500 Great Leaders名人錄
- 2008年，2000 Outstanding Intellectuals 21st Century
- 2008年，Great Minds of the 21st Century
- 2009年，The International President's Award for Iconic Achievement
3. 學術榮譽
- 2016 Conference on Photonics and Smart Electronics 最佳論文獎
- 2016 Conference on innovation and technology in electronics, signal and communication 優秀論文獎
- 獲選2010年及2011年國科會大專校院特殊優秀人才獎勵
- 獲2006台灣電子材料與元件協會所頒授之「傑出論文獎」
4. 擔任國際學術期刊、研討會之審查委員
- IEEE Transactions on Nanotechnology (SCI)
- Superlattices and Microstructures (SCI)
- Applied Surface Science (SCI)
- Electrochemistry Communications (SCI)
- Journal of Recent Patents on Nanotechnology (SCI)
- 2018 International Electron Devices & Materials Symposium (IEDMS 2018) (November 14~16, 2018) Technical Program Committee Member [Compound semiconductor related materials and devices]
- 2018 International Conference on System Science and Engineering (ICSSE 2018)(June 28, 2018~ June 30, 2018) Steering Committee Member
5. 其他
- 學術心得分享 - 國立臺北大學北大人物網校訊人物（林嘉洤教授）
- 獲中時晚報、自由時報及教育部技職教育專刊之個人專訪報導
研究貢獻 (Research)
1. Laser-Trench Direct Patterning Technology
-
2020年，全世界首創，以雷射壕溝(Laser Trench)技術完成Porous-Si微型精準直接定位圖案化及其陣列(部份成果如下圖)。
相較於全世界的研究團隊，受限於Porous-Si需以電化學蝕刻產生，在強酸電解液體中，對應的光蝕刻圖案化技術相對繁複，且在過程中，往往破壞奈米表面，圖案邊界線更不易精準控制。因此，無法達成直接微縮圖案化(Direct Patten)的技術。
發表於2020年IEEE Transactions on Electron Device Letters.
2. Porous-Si Edge Effect
-
2017年，以第一作者在全世界首次提出「電化學邊緣效應(Edge Effect)」探討電化學蝕刻之Porous-Si結構並非均勻，以設計遮罩並觀察距離改變對蝕刻均勻度的影響，證明邊緣效應的存在與其帶來的缺點與應用之方法。
其成果發表於2017年Optical Material Express。
3. Si-Oscillator
-
2017年6月，以第一作者發表在IEEE Transactions on Electron Device Letters, 2017.
首次提出以Porous-Si為材料本質的高功率振盪的現象。實現了物質本質振盪現象的創新。
4. Porous-Si Powder及對應之高效能電容式UV-Detector
-
2018年，執行以Porous-Si作為紫外線螢光粉末之研究計畫，目前已透過多次實驗得知Porous-Si螢光粉末最佳蝕刻參數，且已掌握相關蝕刻參數的設計，可望藉由微縮奈米技術，達到更多元的產業應用。
2019年，繼續擴展Porous-Si Powder的技術，並應用至電容的製作，該項Porous-Si粉末-電容型UV-Detector有極高的響應(勝過2019年Sensors期刊所發表之成果)。亦為世界原創，目前專利申請中。
5. IC設計及應用類
-
2018年執行工研院計畫,進行高速雷射照明可見光通訊研究計畫，其高速前端類比電路設計主要包含: DC to DC Buck Converter、Voltage to Current Convert Circuit、LD/LED，目前已成功實現且結案
2015年及2016年獲工研院電子與光電研究所肯定，參與FY104和FY105建置OLED照明量產核心技術計畫，進行OLED驅動晶片的設計與開發，目前已成功實現且結案
2016年成功下線晶片-具加速暫態響應及兩段智能開關控制之高效率電流模式降壓轉換器[D35-105D-A0009]
2016年成功下線晶片-具製程變異校正功能之OLED複合式大面板亮度均一調變之晶片電路設計及其模組[D35-105B-A0006]
2016年成功下線晶片，以多段智能開關實現一寬負載高效率低漣波之降壓轉換器[D35-105A-A0003]
2015年成功下線晶片-智慧裝飾之多通道OLED調光驅動電路[D35-104C-A0010]
2015年成功下線晶片-智慧型PWM 調光之LED驅動電路設計[D35-104A-E0009]
2015年成功下線晶片-高效率之同步電壓式雙模切換直流對直流轉換器設計[D35-104A-A0004]
2014年成功下線晶片-可調光複合式控制之多通道LED 驅動電路設計[D35-103A-A0005]
2014年成功下線晶片-可攜式裝置應用之具多段智能開關單模高效率電流模式升壓轉換器設計[D35-103A-A0004]
2013年成功下線晶片-低輸出漣波全電流控制單電感雙輸出直流轉直流降壓式電源轉換器 [D35- 102C-A0015]
2013年成功下線晶片-高效率脈波寬度調變穩壓與低漣波降壓器之整合設計[D35-102C-A0014]
[D35-105D-A0009] [D35-105B-A0006] [D35-105A-A0003] [D35-104C-A0010] [D35-104A-E0009]
1.[D35-104A-A0004] 2.[D35-103A-A0005] 3.[D35-103A-A0004] 4.[D35- 102C-A0015] 5.[D35-102C-A0014]
6. 多孔矽之創新技術類
-
提出多孔矽白光技術，以多孔矽首次發出暖白光及冷白光之成果。
提出超薄型多孔矽PN接面二極體，在多孔矽PN交界處，製作薄膜多孔矽(PSi)二極管元件結構和特性分析
提出多孔矽、免光罩之圖型化技術，傳統電解蝕刻往往必須以很繁複的光罩(Mask)遮蔽製程才能進行選擇性蝕刻。首創以水平電極的方式，開發免光罩(Mask-free)選擇性蝕刻的新穎製程。
提出應用Hall Effect於多孔矽場發射針尖之研製，合併運用光照製程與霍爾製程的物理綜效，應用於矽奈米針尖 (Si-tip/Si-wire)的製作。藉此強化奈米晶柱發光的效應，並作為將來繼續開發「場發射(Field Emission)元件」之製程基礎。
提出多孔矽結構強化之技術，對於埋藏P層之多孔結構在不同電解電流參數改變下，對發光特性與電特性的影響，進行深入的研究分析。強化非線性本質NDC特性的研究，尤其對於多孔矽脆弱特質的強化有很關鍵的幫助，
提出多孔矽微流道之蝕刻技術，首創發散式微流道的新穎蝕刻方法。該技術是藉交流式電源，造成勞倫茲力的特殊電解蝕刻，其物理分析、原理與技術
提出以超臨界流體強化多孔矽界面導電度之關鍵技術，以超臨界流體(Supercritical Fluid)的方式，將金屬奈米粒子引入多孔結構的微小孔洞中。克服多孔結構表面粗糙的問題，大幅減低金屬-半導體的界面阻抗，將可有效節省此類發光元件之功率。
提出以底層油槽式電洞強化多孔矽結構之關鍵技術，為克服N型多孔矽製程中，往往缺乏電解蝕刻所需之電洞(Hole)。我們首創以順向偏壓下的PN接面，協助使多孔矽的發光強度明顯增強。
提出以Hall-Effect證明電洞在多孔矽形成的重要性，在矽的多孔結構製程，首創以霍爾效應(Hall Effect)有效控制電解蝕刻的載子分佈。此製造方法免除傳統照光的設備，成功於矽基材之上產生區域漸層發光之元件。
研究指導 (Advising)
| 畢業時間 | 姓名 | 題目 |
|---|---|---|
| 111 | 蘇政融 | 雷射誘導石墨烯場效電晶體生物感測器對於鉛離子之檢測【與蘇虹娜教授共同指導】 |
| 111 | 杜東瀛 | 雷射誘導石墨烯場效電晶體生物感測器用於葡萄糖之檢測【與蘇虹娜教授共同指導】 |
| 111 | 林宜嫻 | 石墨烯導電阻抗特性之研究及其應用於電鍍銅箔導電阻抗之強化 |
| 111 | 朱家緯 | 基於多孔矽薄膜的低成本可視型紫外光感測器之研發 |
| 111 | 羅皓平 | 多孔矽/石墨烯疊加鈣鈦礦複合材料太陽能電池之電性研究 |
| 111 | 吳佳穎 | 應用雷射雕刻於多孔矽之光激發光特性研究 |
| 111 | 劉奕呈 | 石墨烯/多孔矽複合結構電容器於高頻電路下之研究 |
| 111 | 張恬瑀 | 基於硝酸銀修飾雷射誘導石墨烯電極開發用於農藥測定的新穎乙酰膽鹼酯酶生物傳感器【與蘇虹娜教授共同指導】 |
| 110 | 許哲恩 | 以石墨烯/多孔矽複合結構應用於溫溼度感測特性之研究 |
| 110 | 盧善恆 | 以多孔矽石墨烯複合結構運用於高密度電容器之研製 |
| 110 | 王維碩 | 四相位壓控振盪器設計與具延遲電路調整之5GHz鎖相迴路 |
| 110 | 郭映言 | 具電壓控制延遲線之5GHz鎖相迴路設計 |
| 110 | 劉建國 | 使用輔助電流之自動頻寬校正頻率合成器 |
| 110 | 楊智偉 | 應用於頻率偏移式鎖相迴路之混頻器與預除器 |
| 110 | 林怡均 | 以石墨烯/多孔矽複合結構應用於氮氣感測特性之研究 |
| 109 | 田孝謙 | 以石墨烯/多孔矽複合結構運用於二氧化碳氣體感測器之改良研究 |
| 108 | 黃育辰 | 以雷射雕刻進行三維電化學蝕刻之多孔矽複頻發光研究 |
| 108 | 賴以昕 | 結合多孔矽粉末與薄膜之電容型 與電導型之紫外光偵測器 |
| 108 | 江泰霖 | 以雷射壕溝對多孔矽進行直接構圖 並改善其光致發光特性及其表面分析 |
| 107 | 李敬賢 | 多孔矽薄膜及其螢光粉末之製程設計、表面分析與光激發光特性之研究 |
| 107 | 劉奕成 | 具雙模自動切換控制之寬負載直流對直流降壓轉換器 |
| 107 | 連啟淳 | 多孔矽電激發光特性之研究 |
| 105 | 萬良芳 | 室溫多孔矽負微分電阻特性之射頻震盪二極體之機制分析 |
| 105 | 劉冠彣 | 多孔矽二極體振盪器之技術研究 |
| 105 | 林鼎超 | 具快速暫態響應及兩段智能開關控制之高效率降壓轉換器 |
| 104 | 薛馥霆 | Implementation of a Wide-Load Low-Ripple High-Efficient Buck Converter with a Smart Multiple Switch Control |
| 103 | 黃柏嘉 | 高效率之同步電壓式雙模切換直流對直流轉換器設計 |
| 102 | 彭坤基 | 以數位訊號控制器為控制核心實現交錯式功率因數校正級【與劉萬榮教授共同指導】 |
| 102 | 魏明輝 | 高效率脈波寬度調變穩壓與低漣波降壓器之整合設計【與劉萬榮教授共同指導】 |
| 102 | 崔玉麒 | 可變頻調光之多通道LED驅動系統晶片之設計【與劉萬榮教授共同指導】 |
| 102 | 吳孟學 | 具多段智能開關電流式升壓轉換器設計【與劉萬榮教授共同指導】 |
| 102 | 温智翔 | 超充模式之最小互穩壓單電感雙輸出降壓電源轉換器【與劉萬榮教授共同指導】 |
| 101 | 鄭清峰 | PN矽基板上蝕刻圖形化多孔矽【與顏旭男教授共同指導】 |
| 101 | 姜謙德 | PN型多孔矽與電極閘之光電特性研究【與顏旭男教授共同指導】 |
| 101 | 古瑞丹 | 改善鉛蓄電池效能之連續脈衝充電器【與劉萬榮教授共同指導】 |
| 101 | 梅利安 | 可調亮度與色彩之多通道 RGB LED 驅動器【與劉萬榮教授共同指導】 |
| 101 | 陸奕成 | 低功率低失真 4 階 2-2 串接三角積分調變器設計【與劉萬榮教授共同指導】 |
| 101 | 王世賢 | 高效率20MHz切換頻率電流模式降壓電源轉換器設計【與劉萬榮教授共同指導】 |
| 101 | 林矗蔚 | 多孔矽橫向感測器之研製及其電漿改質之研究【與曹春暉教授共同指導】 |
| 101 | 李佳峰 | 多孔矽於退火處理之分析研究【與周賢民教授共同指導】 |
| 99 | 彭俊誠 | 多孔矽微型陣列感測元件研製 |
| 99 | 周志聰 | 使用攪拌法進行均勻多孔矽製程研究與結構分析 |
| 99 | 賴衍中 | 陣列式多孔矽多工感測薄膜之研製【與施漢章教授共同指導】 |
| 99 | 劉信宏 | 高品質多孔矽薄膜外加擾動機制之研究【與曹春暉教授共同指導】 |
| 99 | 陳家國 | 多孔矽發光特性及偏壓效應之影響【與曹春暉教授共同指導】 |
| 98 | 王信凱 | 多孔矽邊緣效應與可圖形化漸變光致螢光技術之研究 |
| 98 | 蔡文禎 | 奈米矽顆粒於發光塗料之應用研究【與曹春暉教授共同指導】 |
| 98 | 潘家頎 | 多孔矽電化學蝕刻及於無氧化層電鍍之研究與分析【與曹春暉教授共同指導】 |
| 97 | 陳奕宏 | 多孔矽的致冷與加熱製程研究和結構分析 |
| 97 | 鄭博任 | 多孔矽結構之電流-電壓/電容-電壓特性研究及其於感測元件之應用 |
| 97 | 林秀錦 | 以水熱法成長氧化鋅薄膜及其特性分析【與杜翰艷教授共同指導】 |
| 97 | 林惠智 | 各類製程對多孔矽結構之影響與分析【與張瑞慶教授共同指導】 |
| 97 | 陳芝伊 | 氧化銦錫應用於多孔矽太陽電池製程之研究【與陳義揚教授共同指導】 |
| 97 | 陳奕鴻 | 多孔矽材料之電鍍後製程於電特性與熱效應之研究與分析 |
| 97 | 邱定中 | 多孔矽電化學蝕刻法及電鍍法之整合研究【與曹春暉教授共同指導】 |
| 96 | 沈廉超 | 多孔矽材料熱效應之研究與分析 |
| 96 | 黃國閔 | 多孔矽材料之退火製程於光電特性之研究與分析 |
| 96 | 傅承暉 | 電解電流對多孔矽製程之研究 |
| 96 | 陳志威 | 使用加熱法進行多孔矽製程研究與結構分析 |
| 96 | 張瑞家 | 多孔矽薄膜特性分析及光電應用 |
| 95 | 謝濟行 | 矽基材之蝕刻研究與特性分析 |
| 95 | 楊基愷 | 奈米多孔矽及其表面分析之研究 |
| 95 | 李力行 | 多孔矽與金屬薄膜之加熱性質探討 |
| 95 | 黃科智 | 超臨界流體沉積技術於多孔矽材料鍍膜對表面電特性的影響 |
| 94 | 李博文 | 以霍爾效應強化n型多孔矽之製程 |
| 94 | 陳威綸 | 多孔矽材料奈米孔洞之研究與特性分析 |
| 94 | 陳語絜 | 高電子遷移率場效電晶體及絕緣層上矽場效電晶體之模擬分析 |
| 94 | 后希庭 | 多孔矽製程研究、結構分析及其應用 |
| 92 | 李文勝 | 多孔矽-金屬蕭基界面與材料電特性量測分析 |
| 92 | 孫尚禮 | 互補式金氧半場效電晶體元件及材料之模擬與分析 |
| 91 | 朱奉昇 | 高電子遷移率電晶體在化合物半導體材料與元件結構設計之模擬分析 |